3-Zoll-SiC-Wafer (350 µm) mit hoher Reinheit, halbisolierend (HPSI), Dummy-Qualität, Prime-Qualität
Anwendung
HPSI-SiC-Wafer sind von entscheidender Bedeutung für die Entwicklung von Leistungshalbleitern der nächsten Generation, die in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen eingesetzt werden:
Leistungswandlungssysteme: SiC-Wafer dienen als Kernmaterial für Leistungsbauelemente wie Leistungs-MOSFETs, Dioden und IGBTs, die für eine effiziente Leistungswandlung in elektrischen Schaltungen unerlässlich sind. Diese Komponenten finden Verwendung in hocheffizienten Netzteilen, Motorantrieben und industriellen Wechselrichtern.
Elektrofahrzeuge (EVs):Die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen erfordert den Einsatz effizienterer Leistungselektronik, und SiC-Wafer spielen dabei eine zentrale Rolle. In den Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen bieten diese Wafer hohe Effizienz und schnelle Schaltzeiten, was zu kürzeren Ladezeiten, größerer Reichweite und einer insgesamt verbesserten Fahrzeugleistung beiträgt.
Erneuerbare Energien:In Systemen für erneuerbare Energien wie Solar- und Windkraft werden SiC-Wafer in Wechselrichtern und Umrichtern eingesetzt, um eine effizientere Energiegewinnung und -verteilung zu ermöglichen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die überlegene Durchbruchspannung von SiC gewährleisten den zuverlässigen Betrieb dieser Systeme selbst unter extremen Umgebungsbedingungen.
Industrielle Automatisierung und Robotik:Hochleistungsfähige Leistungselektronik in industriellen Automatisierungssystemen und Robotern benötigt Bauelemente, die schnell schalten, hohe Leistungslasten bewältigen und unter hoher Belastung arbeiten können. SiC-basierte Halbleiter erfüllen diese Anforderungen durch höhere Effizienz und Robustheit, selbst unter rauen Betriebsbedingungen.
Telekommunikationssysteme:In der Telekommunikationsinfrastruktur, wo hohe Zuverlässigkeit und effiziente Energieumwandlung entscheidend sind, werden SiC-Wafer in Netzteilen und DC/DC-Wandlern eingesetzt. SiC-Bauelemente tragen dazu bei, den Energieverbrauch zu senken und die Systemleistung in Rechenzentren und Kommunikationsnetzen zu verbessern.
Durch die Bereitstellung einer soliden Grundlage für Hochleistungsanwendungen ermöglicht der HPSI-SiC-Wafer die Entwicklung energieeffizienter Geräte und hilft der Industrie beim Übergang zu umweltfreundlicheren und nachhaltigeren Lösungen.
Eigenschaften
| Eigentum | Produktionsqualität | Forschungsqualität | Dummy-Note |
| Durchmesser | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Dicke | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer-Ausrichtung | Auf der Achse: <0001> ± 0,5° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° |
| Mikrorohrdichte für 95 % der Wafer (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Elektrischer Widerstand | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopant | Undotiert | Undotiert | Undotiert |
| Primäre flache Ausrichtung | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Primäre Flachlänge | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Sekundäre Flachlänge | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Sekundäre flache Ausrichtung | Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der primären Planfläche ± 5,0° | Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der primären Planfläche ± 5,0° | Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der primären Planfläche ± 5,0° |
| Kantenausschluss | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Bogen/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Oberflächenrauheit | C-Seite: Poliert, Si-Seite: CMP | C-Seite: Poliert, Si-Seite: CMP | C-Seite: Poliert, Si-Seite: CMP |
| Risse (untersucht mit Hochleistungslicht) | Keiner | Keiner | Keiner |
| Sechskantplatten (mit Hochleistungslicht geprüft) | Keiner | Keiner | Kumulierte Fläche 10% |
| Polytypbereiche (untersucht mit hochintensivem Licht) | Kumulative Fläche 5% | Kumulative Fläche 5% | Kumulierte Fläche 10% |
| Kratzer (untersucht mit hochintensivem Licht) | ≤ 5 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 150 mm | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 mm | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 mm |
| Kantenabsplitterung | Keine zulässigen Breiten und Tiefen ≥ 0,5 mm. | 2 zulässig, ≤ 1 mm Breite und Tiefe | 5 zulässig, ≤ 5 mm Breite und Tiefe |
| Oberflächenverunreinigungen (untersucht mit hochintensivem Licht) | Keiner | Keiner | Keiner |
Wichtigste Vorteile
Überragende Wärmeleistung: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC gewährleistet eine effiziente Wärmeableitung in Leistungshalbleitern und ermöglicht so deren Betrieb bei höheren Leistungspegeln und Frequenzen ohne Überhitzung. Dies führt zu kleineren, effizienteren Systemen und längeren Lebensdauern.
Hohe Durchbruchspannung: Dank einer größeren Bandlücke im Vergleich zu Silizium eignen sich SiC-Wafer für Hochspannungsanwendungen und sind daher ideal für leistungselektronische Bauteile, die hohen Durchbruchspannungen standhalten müssen, wie sie beispielsweise in Elektrofahrzeugen, Stromnetzen und Systemen für erneuerbare Energien zum Einsatz kommen.
Geringere Leistungsverluste: Der niedrige Einschaltwiderstand und die hohen Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen führen zu geringeren Energieverlusten im Betrieb. Dies verbessert nicht nur die Effizienz, sondern erhöht auch die Gesamtenergieeinsparungen der Systeme, in denen sie eingesetzt werden.
Erhöhte Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen: Dank seiner robusten Materialeigenschaften eignet sich SiC für den Einsatz unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen (bis zu 600 °C), hohen Spannungen und hohen Frequenzen. Dadurch sind SiC-Wafer ideal für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Energiewirtschaft.
Energieeffizienz: SiC-Bauelemente bieten eine höhere Leistungsdichte als herkömmliche Silizium-basierte Bauelemente. Dadurch werden Größe und Gewicht von Leistungselektroniksystemen reduziert, während gleichzeitig deren Gesamteffizienz verbessert wird. Dies führt zu Kosteneinsparungen und einer geringeren Umweltbelastung in Anwendungen wie erneuerbaren Energien und Elektrofahrzeugen.
Skalierbarkeit: Der Durchmesser von 3 Zoll und die präzisen Fertigungstoleranzen des HPSI SiC-Wafers gewährleisten, dass er für die Massenproduktion skalierbar ist und somit sowohl den Anforderungen der Forschung als auch der kommerziellen Fertigung gerecht wird.
Abschluss
Der HPSI-SiC-Wafer mit seinem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 350 µm ± 25 µm ist das optimale Material für die nächste Generation leistungsstarker Leistungselektronikbauteile. Seine einzigartige Kombination aus Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung, geringen Energieverlusten und Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen macht ihn zu einer unverzichtbaren Komponente für vielfältige Anwendungen in der Energiewandlung, bei erneuerbaren Energien, Elektrofahrzeugen, industriellen Systemen und der Telekommunikation.
Dieser SiC-Wafer eignet sich besonders für Branchen, die höhere Effizienz, größere Energieeinsparungen und verbesserte Systemzuverlässigkeit anstreben. Angesichts der ständigen Weiterentwicklung der Leistungselektronik bildet der HPSI-SiC-Wafer die Grundlage für die Entwicklung energieeffizienter Lösungen der nächsten Generation und treibt so den Übergang zu einer nachhaltigeren, kohlenstoffarmen Zukunft voran.
Detailliertes Diagramm
