2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, Typ 6H-N, Premiumqualität, Forschungsqualität, Dummyqualität, 330 μm, 430 μm Dicke

Kurzbeschreibung:

Es gibt viele verschiedene Polymorphe von Siliciumcarbid, und 6H-Siliciumcarbid ist eines von fast 200 Polymorphen. 6H-Siliciumcarbid ist mit Abstand die am häufigsten vorkommende Modifikation für kommerzielle Zwecke. 6H-Siliciumcarbid-Wafer sind von herausragender Bedeutung. Sie können als Halbleiter eingesetzt werden. Aufgrund seiner Langlebigkeit und der geringen Materialkosten findet es breite Anwendung in Schleif- und Schneidwerkzeugen wie Trennscheiben. Es wird in modernen Verbundschutzwesten und kugelsicheren Westen verwendet. Auch in der Automobilindustrie kommt es zum Einsatz, beispielsweise zur Herstellung von Bremsscheiben. In großen Gießereien dient es zum Halten von Schmelztiegeln. Seine Verwendung in der Elektrotechnik und Elektronik ist so bekannt, dass sie keiner Diskussion bedarf. Darüber hinaus wird es in Leistungselektronik, LEDs, der Astronomie, der Dünnschichtpyrometrie, der Schmuckherstellung, der Graphen- und Stahlproduktion sowie als Katalysator eingesetzt. Wir bieten 6H-Siliciumcarbid-Wafer von herausragender Qualität mit einer Reinheit von 99,99 % an.


Merkmale

Folgende Eigenschaften weisen Siliziumkarbid-Wafer auf:

1. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen hervorragende elektrische und ausgezeichnete thermische Eigenschaften auf. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) zeichnen sich durch eine geringe Wärmeausdehnung aus.

2. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen hervorragende Härteeigenschaften auf. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) eignen sich gut für hohe Temperaturen.

3. Siliziumkarbid-Wafer (SiC) weisen eine hohe Beständigkeit gegen Korrosion, Erosion und Oxidation auf. Darüber hinaus sind Siliziumkarbid-Wafer (SiC) glänzender als Diamanten oder Zirkonoxid.

4. Bessere Strahlungsbeständigkeit: SiC-Wafer weisen eine höhere Strahlungsbeständigkeit auf und eignen sich daher für den Einsatz in strahlungsbelasteten Umgebungen. Beispiele hierfür sind Raumfahrzeuge und kerntechnische Anlagen.
5. Höhere Härte: SiC-Wafer sind härter als Silizium, was die Haltbarkeit der Wafer während der Verarbeitung erhöht.

6. Niedrigere Dielektrizitätskonstante: Die Dielektrizitätskonstante von SIC-Wafern ist niedriger als die von Silizium, was dazu beiträgt, die parasitäre Kapazität im Bauelement zu reduzieren und die Hochfrequenzleistung zu verbessern.

Siliziumkarbid-Wafer haben verschiedene Anwendungsgebiete.

Siliziumkarbid (SiC) wird zur Herstellung von Hochspannungs- und Hochleistungsbauelementen wie Dioden, Leistungstransistoren und Hochleistungsmikrowellenbauelementen verwendet. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen zeichnen sich SiC-basierte Leistungshalbleiter durch höhere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Spannungen, geringere parasitäre Widerstände, kleinere Abmessungen und einen geringeren Kühlbedarf aufgrund ihrer Hochtemperaturfähigkeit aus.
Während Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H-Wafer überlegene elektronische Eigenschaften aufweisen, sind Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H-Wafer am einfachsten herzustellen und am besten zu untersuchen.
1. Leistungselektronik: Siliziumkarbid-Wafer werden in der Leistungselektronik eingesetzt, die in einer Vielzahl von Anwendungen Verwendung findet, darunter Elektrofahrzeuge, Systeme für erneuerbare Energien und Industrieanlagen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die geringen Leistungsverluste von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
2. LED-Beleuchtung: Für die Herstellung von LED-Beleuchtung werden Siliziumkarbid-Wafer verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Produktion von LEDs, die langlebiger und robuster als herkömmliche Lichtquellen sind.
3. Halbleiterbauelemente: Siliziumkarbid-Wafer werden zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommen, darunter Telekommunikation, Computertechnik und Unterhaltungselektronik. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die geringen Leistungsverluste von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
4. Solarzellen: Siliziumkarbid-Wafer werden zur Herstellung von Solarzellen verwendet. Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Produktion von Solarzellen, die haltbarer und langlebiger als herkömmliche Solarzellen sind.
Insgesamt ist der ZMSH-Siliziumkarbid-Wafer ein vielseitiges und hochwertiges Produkt, das sich für ein breites Anwendungsspektrum eignet. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Verlustleistung und hohe Festigkeit machen ihn zu einem idealen Material für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsbauteile. Mit einer Wölbung von ≤ 50 µm, einer Oberflächenrauheit von ≤ 1,2 nm und einem spezifischen Widerstand von hoch/niedrig ist der Siliziumkarbid-Wafer eine zuverlässige und effiziente Wahl für alle Anwendungen, die eine ebene und glatte Oberfläche erfordern.
Unser SiC-Substratprodukt wird mit umfassendem technischem Support und Serviceleistungen geliefert, um optimale Leistung und Kundenzufriedenheit zu gewährleisten.
Unser Expertenteam steht Ihnen bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung gerne zur Verfügung.
Wir bieten Schulungen und Weiterbildungen zur Nutzung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden zu helfen, ihre Investition optimal zu nutzen.
Darüber hinaus bieten wir fortlaufende Produktaktualisierungen und -verbesserungen an, um sicherzustellen, dass unsere Kunden stets Zugriff auf die neueste Technologie haben.

Detailliertes Diagramm

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