12-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat, erstklassige Qualität, Durchmesser 300 mm, große Abmessungen, 4H-N, geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten

12-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat (Siliciumcarbid, Premiumqualität), Durchmesser 300 mm, große Abmessungen, 4H-N, geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten (Abbildung)

Kurzbeschreibung:

Ein 12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat (SiC-Substrat) ist ein großflächiges, leistungsstarkes Halbleitersubstrat aus einem Siliziumkarbid-Einkristall. Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hervorragenden elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften. Es findet breite Anwendung in der Herstellung elektronischer Bauelemente für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Das 12-Zoll-Substrat (300 mm) entspricht der aktuellen Spezifikation der Siliziumkarbidtechnologie und ermöglicht eine deutliche Steigerung der Produktionseffizienz und Kostensenkung.

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Merkmale

Produkteigenschaften

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ist mehr als dreimal so hoch wie die von Silizium, wodurch es sich für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten eignet.

2. Hohe Durchschlagsfeldstärke: Die Durchschlagsfeldstärke ist 10-mal so hoch wie die von Silizium und eignet sich daher für Hochdruckanwendungen.

3. Große Bandlücke: Die Bandlücke beträgt 3,26 eV (4H-SiC) und eignet sich daher für Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen.

4. Hohe Härte: Die Mohs-Härte beträgt 9,2 und ist damit die zweithöchste nach Diamant. Ausgezeichnete Verschleißfestigkeit und mechanische Festigkeit.

5. Chemische Stabilität: Hohe Korrosionsbeständigkeit, stabile Leistung auch bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen.

6. Großes Format: 12 Zoll (300 mm) Substrat, Verbesserung der Produktionseffizienz, Reduzierung der Stückkosten.

7. Niedrige Defektdichte: Hochwertige Einkristallzüchtungstechnologie zur Gewährleistung einer niedrigen Defektdichte und hoher Konsistenz.

Hauptanwendungsrichtung des Produkts

1. Leistungselektronik:

MOSFETs: Werden in Elektrofahrzeugen, industriellen Motorantrieben und Leistungswandlern eingesetzt.

Dioden: wie beispielsweise Schottky-Dioden (SBD), die für die effiziente Gleichrichtung und zum Schalten von Netzteilen eingesetzt werden.

2. HF-Geräte:

HF-Leistungsverstärker: wird in 5G-Kommunikationsbasisstationen und Satellitenkommunikationsanlagen eingesetzt.

Mikrowellengeräte: Geeignet für Radar- und drahtlose Kommunikationssysteme.

3. Fahrzeuge mit neuer Energie:

Elektrische Antriebssysteme: Motorsteuerungen und Wechselrichter für Elektrofahrzeuge.

Ladesäule: Leistungsmodul für Schnellladegeräte.

4. Industrielle Anwendungen:

Hochspannungswechselrichter: für die industrielle Motorsteuerung und das Energiemanagement.

Intelligentes Stromnetz: Für HGÜ-Übertragung und Leistungselektroniktransformatoren.

5. Luft- und Raumfahrt:

Hochtemperaturelektronik: geeignet für die hohen Temperaturen in der Luft- und Raumfahrttechnik.

6. Forschungsgebiet:

Forschung an Halbleitern mit großer Bandlücke: für die Entwicklung neuer Halbleitermaterialien und -bauelemente.

Das 12-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat ist ein Hochleistungshalbleitermaterial mit hervorragenden Eigenschaften wie hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchfeldstärke und großer Bandlücke. Es findet breite Anwendung in der Leistungselektronik, Hochfrequenztechnik, Elektrofahrzeugen, der industriellen Steuerungstechnik und der Luft- und Raumfahrt und ist ein Schlüsselmaterial für die Entwicklung der nächsten Generation effizienter und leistungsstarker elektronischer Bauelemente.

Siliziumkarbidsubstrate finden zwar derzeit noch weniger direkte Anwendung in der Unterhaltungselektronik, beispielsweise in AR-Brillen, ihr Potenzial im effizienten Energiemanagement und in der miniaturisierten Elektronik könnte jedoch die Entwicklung leichter, leistungsstarker Stromversorgungslösungen für zukünftige AR/VR-Geräte ermöglichen. Aktuell konzentriert sich die Weiterentwicklung von Siliziumkarbidsubstraten vor allem auf Industriezweige wie Elektrofahrzeuge, Kommunikationsinfrastruktur und industrielle Automatisierung und trägt so zu einer effizienteren und zuverlässigeren Entwicklung der Halbleiterindustrie bei.

XKH hat sich verpflichtet, qualitativ hochwertige 12-Zoll-SiC-Substrate mit umfassendem technischem Support und Serviceleistungen anzubieten, darunter:

1. Kundenspezifische Fertigung: Wir bieten Substrate mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand, unterschiedlicher Kristallorientierung und unterschiedlicher Oberflächenbehandlung gemäß den Kundenbedürfnissen an.

2. Prozessoptimierung: Bereitstellung von technischem Support für Kunden bei Epitaxie, Geräteherstellung und anderen Prozessen zur Verbesserung der Produktleistung.

3. Prüfung und Zertifizierung: Strenge Fehlererkennung und Qualitätszertifizierung gewährleisten, dass das Substrat den Industriestandards entspricht.

4. F&E-Kooperation: Gemeinsame Entwicklung neuer Siliziumkarbidbauelemente mit Kunden zur Förderung technologischer Innovationen.

Datendiagramm

1 2 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substratspezifikation
Grad		ZeroMPD Produktion Note (Z-Note)	Standardproduktion Note (P-Note)		Dummy-Note (Note D)
Durchmesser		3 0 0 mm~305 mm
Dicke	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Wafer-Ausrichtung		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120> ± 0,5° für 4H-N, auf der Achse: <0001> ± 0,5° für 4H-SI
Mikrorohrdichte	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Widerstand	4H-N	0,015–0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre Flachlänge	4H-N	N / A
	4H-SI	Kerbe
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □μm/≤55 □μm
Rauheit		Polnische Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht Sechseckige Platten durch Hochleistungslicht Polytypbereiche durch hochintensives Licht Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse Kratzer auf Silikonoberflächen durch hochintensives Licht		Keiner Kumulative Fläche ≤0,05% Keiner Kumulative Fläche ≤0,05% Keiner			Gesamtlänge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm Kumulative Fläche ≤0,1% Kumulative Fläche ≤ 3 % Kumulative Fläche ≤3% Gesamtlänge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter durch hochintensives Licht		Keine zulässige Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm.			7 zulässig, jeweils ≤1 mm
(TSD) Schraubenverrenkung		≤500 cm-2		N / A
(BPD) Basisebenenversetzung		≤1000 cm-2		N / A
Siliziumoberflächenkontamination durch hochintensives Licht		Keiner
Verpackung		Mehrfachwaffelkassette oder Einzelwaffelbehälter
Anmerkungen:
1 Die Grenzwerte für Defekte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. 2Die Kratzer sollten nur auf der Si-Seite überprüft werden. 3 Die Versetzungsdaten stammen ausschließlich von mit KOH geätzten Wafern.

XKH wird weiterhin in Forschung und Entwicklung investieren, um den Durchbruch bei 12-Zoll-Siliziumkarbidsubstraten mit großen Abmessungen, geringer Defektdichte und hoher Konsistenz zu erzielen. Gleichzeitig erforscht XKH deren Anwendungsmöglichkeiten in Zukunftsfeldern wie der Unterhaltungselektronik (z. B. Leistungsmodule für AR/VR-Geräte) und dem Quantencomputing. Durch Kostensenkung und Kapazitätserweiterung wird XKH der Halbleiterindustrie zu neuem Aufschwung verhelfen.