12-Zoll-Saphirwafer für die Halbleiterfertigung in großen Stückzahlen

Kurzbeschreibung:

Der 12-Zoll-Saphirwafer wurde entwickelt, um der steigenden Nachfrage nach großflächiger Halbleiter- und optoelektronischer Fertigung mit hohem Durchsatz gerecht zu werden. Da die Gerätearchitekturen immer kleiner werden und die Produktionslinien auf größere Waferformate umstellen, bieten Saphirsubstrate mit ultragroßen Durchmessern deutliche Vorteile hinsichtlich Produktivität, Ausbeuteoptimierung und Kostenkontrolle.


Merkmale

Detailliertes Diagramm

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Saphirscheibe

Einführung des 12-Zoll-Saphirwafers

Der 12-Zoll-Saphirwafer wurde entwickelt, um der steigenden Nachfrage nach großflächiger Halbleiter- und optoelektronischer Fertigung mit hohem Durchsatz gerecht zu werden. Da die Gerätearchitekturen immer kleiner werden und die Produktionslinien auf größere Waferformate umstellen, bieten Saphirsubstrate mit ultragroßen Durchmessern deutliche Vorteile hinsichtlich Produktivität, Ausbeuteoptimierung und Kostenkontrolle.

Unsere aus hochreinem Al₂O₃-Einkristall gefertigten 12-Zoll-Saphirwafer vereinen hervorragende mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und Oberflächenqualität. Dank optimiertem Kristallwachstum und präziser Waferbearbeitung liefern diese Substrate zuverlässige Leistung für fortschrittliche LED-, GaN- und spezielle Halbleiteranwendungen.

Materialeigenschaften

 

Saphir (einkristallines Aluminiumoxid, Al₂O₃) ist bekannt für seine herausragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften. 12-Zoll-Saphirwafer vereinen alle Vorteile des Saphirmaterials und bieten gleichzeitig eine deutlich größere nutzbare Oberfläche.

Zu den wichtigsten Materialeigenschaften gehören:

  • Extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit

  • Ausgezeichnete thermische Stabilität und hoher Schmelzpunkt

  • Überlegene chemische Beständigkeit gegenüber Säuren und Laugen

  • Hohe optische Transparenz vom UV- bis zum IR-Wellenlängenbereich

  • Hervorragende elektrische Isolationseigenschaften

Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sich 12-Zoll-Saphirwafer für anspruchsvolle Verarbeitungsumgebungen und Hochtemperatur-Halbleiterherstellungsprozesse.

Herstellungsprozess

Die Herstellung von 12-Zoll-Saphirwafern erfordert hochentwickelte Kristallzüchtungs- und hochpräzise Verarbeitungstechnologien. Der typische Herstellungsprozess umfasst:

  1. Einkristallwachstum
    Hochreine Saphirkristalle werden mithilfe fortschrittlicher Methoden wie dem KY-Verfahren oder anderen Technologien zur Kristallzüchtung mit großem Durchmesser gezüchtet, wodurch eine einheitliche Kristallorientierung und geringe innere Spannungen gewährleistet werden.

  2. Kristallformung und -trennung
    Der Saphirbarren wird präzise geformt und mit hochpräzisen Schneidemaschinen in 12-Zoll-Wafer geschnitten, um Beschädigungen unter der Oberfläche zu minimieren.

  3. Läppen und Polieren
    Zur Erzielung einer ausgezeichneten Oberflächenrauheit, Ebenheit und Dickengleichmäßigkeit werden mehrstufige Läpp- und chemisch-mechanische Polierverfahren (CMP) angewendet.

  4. Reinigung und Inspektion
    Jeder 12-Zoll-Saphir-Wafer wird einer gründlichen Reinigung und strengen Prüfung unterzogen, einschließlich der Analyse von Oberflächenqualität, TTV, Wölbung, Verformung und Defekten.

Anwendungen

12-Zoll-Saphirwafer finden breite Anwendung in fortschrittlichen und aufstrebenden Technologien, darunter:

  • Hochleistungs- und hochhelle LED-Substrate

  • GaN-basierte Leistungsbauelemente und HF-Bauelemente

  • Träger für Halbleiteranlagen und isolierende Substrate

  • Optische Fenster und großflächige optische Komponenten

  • Fortschrittliche Halbleitergehäuse und spezielle Prozessträger

Der große Durchmesser ermöglicht einen höheren Durchsatz und eine verbesserte Kosteneffizienz in der Massenproduktion.

Vorteile von 12-Zoll-Saphirwafern

  • Größere nutzbare Fläche für höhere Geräteausbeute pro Wafer

  • Verbesserte Prozesskonsistenz und -einheitlichkeit

  • Reduzierte Kosten pro Gerät in der Massenproduktion

  • Hervorragende mechanische Festigkeit für die Handhabung großer Formate

  • Anpassbare Spezifikationen für verschiedene Anwendungen

 

Anpassungsoptionen

Wir bieten flexible Anpassungsmöglichkeiten für 12-Zoll-Saphirwafer, darunter:

  • Kristallorientierung (C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene usw.)

  • Toleranz für Dicke und Durchmesser

  • Einseitiges oder beidseitiges Polieren

  • Kantenprofil- und Fasengestaltung

  • Anforderungen an Oberflächenrauheit und Ebenheit

Parameter Spezifikation Anmerkungen
Waferdurchmesser 12 Zoll (300 mm) Standard-Wafer mit großem Durchmesser
Material Einkristalliner Saphir (Al₂O₃) Hochreine, elektronische/optische Qualität
Kristallorientierung C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102) Optionale Orientierungen verfügbar
Dicke 430–500 μm Individuelle Stärken sind auf Anfrage erhältlich.
Dickentoleranz ±10 μm Enge Toleranzen für fortschrittliche Geräte
Gesamtdickenvariation (TTV) ≤10 μm Gewährleistet eine gleichmäßige Verarbeitung des gesamten Wafers
Bogen ≤50 μm Gemessen über den gesamten Wafer
Kette ≤50 μm Gemessen über den gesamten Wafer
Oberflächenbeschaffenheit Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP) Oberfläche von hoher optischer Qualität
Oberflächenrauheit (Ra) ≤0,5 nm (poliert) Glätte auf atomarer Ebene für epitaktisches Wachstum
Kantenprofil Fase / Abgerundete Kante Um ein Absplittern während der Handhabung zu verhindern
Orientierungsgenauigkeit ±0,5° Gewährleistet ein ordnungsgemäßes Wachstum der Epitaxieschicht
Defektdichte <10 cm⁻² Gemessen durch optische Inspektion
Ebenheit ≤2 μm / 100 mm Gewährleistet gleichmäßiges Lithographie- und Epitaxiewachstum
Sauberkeit Klasse 100 – Klasse 1000 Reinraumkompatibel
Optische Übertragung >85 % (UV–IR) Hängt von der Wellenlänge und der Dicke ab

 

Häufig gestellte Fragen zu 12-Zoll-Saphirwafern

Frage 1: Welche Standarddicke hat ein 12-Zoll-Saphirplättchen?
A: Die Standarddicke liegt zwischen 430 μm und 500 μm. Kundenspezifische Dicken können ebenfalls nach Kundenwunsch gefertigt werden.

 

Frage 2: Welche Kristallorientierungen sind für 12-Zoll-Saphirwafer verfügbar?
A: Wir bieten die Ausrichtungen C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20) und R-Ebene (1-102) an. Weitere Ausrichtungen können je nach Geräteanforderungen angepasst werden.

 

Frage 3: Wie hoch ist die Gesamtdickenabweichung (TTV) des Wafers?
A: Unsere 12-Zoll-Saphirwafer weisen typischerweise eine TTV von ≤10 μm auf, wodurch eine Gleichmäßigkeit über die gesamte Waferoberfläche für die Herstellung hochwertiger Bauelemente gewährleistet wird.

Über uns

XKH ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien. Unsere Produkte finden Anwendung in der Optoelektronik, der Unterhaltungselektronik und im Militärbereich. Wir bieten optische Saphirkomponenten, Objektivabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid (SiC), Quarz und Halbleiterkristallwafer an. Dank unserer Expertise und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Fertigung von Sonderanfertigungen aus und streben die Position eines führenden Hightech-Unternehmens für optoelektronische Materialien an.

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